Apple prejde z používania TLC (triple-level cell) NAND flash na MLC (multi-level cell) NAND flash v iPhone 6 a iPhone 6 Plus po tom, čo používatelia skúsený problémy so zrútením a spúšťacou slučkou pri verziách s vyššou kapacitou oboch zariadení, správy obchodná Kórea .
Zdroje novinám uviedli, že za výrobné chyby môže spoločnosť Anobit s flash pamäťami, ktorú Apple získal v roku 2011. Apple údajne prejde na MLC NAND flash pre 64GB iPhone 6 a 128GB iPhone 6 Plus a bude tiež riešiť problémy so zrútením a spúšťacou slučkou s vydaním iOS 8.1.1. Apple používal MLC NAND flash už predtým v telefónoch iPhone predchádzajúcej generácie.
TLC NAND flash je typ polovodičovej NAND flash pamäte, ktorá ukladá tri bity údajov na bunku. Dokáže uložiť trikrát toľko údajov ako jednoúrovňová bunka (SLC), do ktorej je uložený jeden bit údajov, a 1,5-krát toľko ako polovodičová flash pamäť s viacúrovňovou bunkou (MLC), ktorá ukladá dva bity údajov. Navyše, TLC blesk je cenovo dostupnejší. Je však tiež pomalší ako SLC alebo MLC pri čítaní a zápise údajov.
Spoločnosť Apple vydala svoju prvú beta verziu iOS 8.1.1 pre vývojárov začiatkom tohto týždňa, hoci spoločnosť nešpecifikovala, či zahrnuté opravy chýb riešili problémy so spúšťacou slučkou a pádmi na zariadeniach iPhone 6 a iPhone 6 Plus. Používateľom, ktorí sa stretávajú s nezvyčajným množstvom slučiek pri zavádzaní a zlyhaní svojho zariadenia iPhone 6 alebo iPhone 6 Plus, sa odporúča, aby svoje zariadenia priniesli späť do maloobchodného predajne Apple, kde ich vymenia.
Populárne Príspevky